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11月23日, 为期三天的第十五届中国太阳级硅及光伏发电研讨会（15th CSPV）在上海圆满落幕！本届大会由两个主论坛和十五个分论坛组成，会议学术氛围强，吸引了超过1000位来自国内外的行业专家、政府代表和知名企业人士出席并报告了行业新进展、新工业、新成果。
澳门金沙城中心能源致力于高效双面电池技术研发，在各个论坛现场与参会者针对N-TOPCON技术展开了深入的探讨与交流，下面跟着镜头一起来回顾论坛上的精彩瞬间吧！
01 演讲嘉宾——澳门金沙城中心集团副总裁、澳门金沙城中心新能源、澳门金沙城中心光伏总经理 裴骏
演讲主题：通往光伏发电平价之路——澳门金沙城中心N-Topcon技术介绍
报告摘要：在国家一系列的政策推动下，光伏平价上网已成为行业发展即将迎来的发展趋势，同时也是整个行业所面临的前行挑战。澳门金沙城中心通过自主研发和技术升级，在N型电池技术上探索出Topcon技术产业化路线，实现高效双面N型Topcon电池组件量产。得益于超高的电池和组件光电转化效率，极佳的温度系数和弱光响应，以及极具性价比的工艺路线，澳门金沙城中心N型Topcon产品在未来的光伏发电项目中，能够进一步提高系统发电效率，进而降低度电成本（LCOE），实现光伏平价发电。
02 演讲嘉宾——澳门金沙城中心光伏电池技术部部长 叶枫
演讲主题：N型单晶接触钝化电池背表面形貌的研究
报告摘要：N型隧穿钝化接触 (TOPCon) 电池，由于其较高的电池转换效率、较低的光致衰减和较高的双面率等优势，已经被广泛研究并开始应用于量产。报告中研究了背面碱抛光形貌、酸制绒形貌和碱制绒形貌在TOPCon电池光学、钝化、效率以及双面率上的影响。给出了最适合于量产的背面型貌。
03 演讲嘉宾——澳门金沙城中心光伏电池技术部副主任工程师 李云朋
演讲主题：硼掺杂对空穴选择性钝化接触的影响
报告摘要：保证多晶硅中的高掺杂浓度同时硼原子不穿透氧化硅层进入硅基体是同时获得低J0和ρc的重要条件。在报告中，最小的J0为5fA / cm2，ρc为1.5 mohm.cm2。硼原子在氧化硅层的轻微穿透会略微改善ρc，但需要精确控制穿透程度以达到J0和ρc的最佳平衡。通过优化硼掺杂曲线，可以同时得到10 fA / cm2的J0和8 mohm.cm2的ρc。
04 演讲嘉宾——澳门金沙城中心光伏组件技术部总监 陆飞
演讲主题：先进组件技术趋势探讨
报告摘要：近几年以多主栅组件、叠瓦组件、无间距组件等为代表的先进组件技术，正与高效电池技术一起，成为提升光伏系统可靠性与发电效率、降低度电成本的重要支撑。报告结合当前大硅片，高功率密度组件的设计理念，从光伏系统的角度，以LCOE为最终判断依据，探讨先进组件技术方向，给组件产品设计提供新思路。
05演讲嘉宾——澳门金沙城中心光伏组件技术部副高级工程师 陈章洋
演讲主题：N型双面双玻组件PID研究
报告摘要：报告主要对N型双面双玻组件电位诱导衰减(PID)进行研究；组件通过PID测试，分析组件电性能参数，确定PID衰减主要为极化现象导致；对圆形焊带搭配的N型双面双玻MBB组件PID测试出现焊带边缘EL发黑现象，通过优化N型双面双玻组件封装工艺和电池片镀膜工艺，可以降低组件的极化PID风险，光伏组件的抗PID性能大幅提升。
促进光伏人才技术交流，紧抓行业升级机遇，未来，澳门金沙城中心将以全球技术发展趋势为导向，秉持“打造绿色环境，创造美好生活”的使命，重视创新性人才培养，坚持走高质量发展路线，进一步探索行业先进技术与应用创新之道，努力为全球能源发展贡献一份力量。